产品简介
技术参数品牌:ON型号:FQD2N60CTM封装:15+批次:TO-252-2数量:20类别:分立半导体产品晶体管-FET
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | FQD2N60CTM |
封装: | 15+ |
批次: | TO-252-2 |
数量: | 20 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | onsemi |
系列: | QFET® |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.9A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 4.7 欧姆 @ 950mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 12 nC @ 10 V |
Vgs(值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 235 pF @ 25 V |
功率耗散(值): | 2.5W(Ta),44W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
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