产品简介
技术参数品牌:TI型号:CSD18532Q5B封装:14+批次:VSON8数量:15制造商:TexasInstruments产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:VSON-CLIP-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:172ARdsOn-漏源导通电阻:3
详情介绍
技术参数
品牌: | TI |
型号: | CSD18532Q5B |
封装: | 14+ |
批次: | VSON8 |
数量: | 15 |
制造商: | Texas Instruments |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | VSON-CLIP-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 172 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 3.2 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.5 V |
Qg-栅极电荷: | 44 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 156 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
下降时间: | 3.1 ns |
正向跨导 - 最小值: | 143 S |
高度: | 1 mm |
长度: | 6 mm |
上升时间: | 7.2 ns |
系列: | CSD18532Q5B |
晶体管类型: | 22 ns |
典型关闭延迟时间: | 5.8 ns |
典型接通延迟时间: | 5 mm |
宽度: | 120.500 mg |
- 上一篇: TUSB211IRWBR 接口IC TI 封装16+ 批次Q
- 下一篇: AP4439GH-HF 电子元器件 APEC 封装13+
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。