技术参数
品牌: | ON |
型号: | FQT2P25TF |
封装: | 21+ |
批次: | FQT2P25TF |
数量: | 8000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-223-4 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 250 V |
Id-连续漏极电流: | 550 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 4 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 2.5 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 1.8 mm |
长度: | 6.5 mm |
系列: | FQT2P25 |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 3.5 mm |
正向跨导 - 最小值: | 0.6 S |
下降时间: | 25 ns |
上升时间: | 40 ns |
典型关闭延迟时间: | 12 ns |
典型接通延迟时间: | 8.5 ns |
单位重量: | 112 mg |
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