产品简介
技术参数品牌:ON型号:NTR4170NT1G封装:18+批次:SOT-23数量:20制造商:onsemi产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:3
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTR4170NT1G |
封装: | 18+ |
批次: | SOT-23 |
数量: | 20 |
制造商: | onsemi |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 3.9 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 55 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 12 V, + 12 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 600 mV |
Qg-栅极电荷: | 4.76 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.25 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
下降时间: | 3.5 ns |
正向跨导 - 最小值: | 8 S |
高度: | 0.94 mm |
长度: | 2.9 mm |
上升时间: | 9.9 ns |
系列: | NTR4170N |
晶体管类型: | Power MOSFET |
典型关闭延迟时间: | 6.4 ns |
典型接通延迟时间: | 1.3 mm |
宽度: | 8 mg |
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