产品简介
技术参数品牌:IR型号:IRFH5207TRPBF封装:QFN8数量:50类别:分立半导体产品晶体管-FET
详情介绍
技术参数
品牌: | IR |
型号: | IRFH5207TRPBF |
封装: | QFN8 |
数量: | 50 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | Infineon Technologies |
系列: | HEXFET® |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 75 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 13A(Ta),71A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 9.6 毫欧 @ 43A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 4V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 59 nC @ 10 V |
Vgs(值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 2474 pF @ 25 V |
功率耗散(值): | 3.6W(Ta),105W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
- 上一篇: FDMS86101 场效应管 ON 封装22+ 批次PO
- 下一篇: SN74LVC1G11DCKR
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。