技术参数
品牌: | 安森美 |
型号: | FDV303N |
批号: | 2020 |
封装: | SOT-23 |
数量: | 999999 |
QQ: | 488273054 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 25 V |
Id-连续漏极电流: | 680 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 450 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 8 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 350 mW |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 1.2 mm |
长度: | 2.9 mm |
系列: | FDV303N |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 1.3 mm |
正向跨导 - 最小值: | 1.45 S |
下降时间: | 8.5 ns |
上升时间: | 8.5 ns |
典型关闭延迟时间: | 17 ns |
典型接通延迟时间: | 3 ns |
零件号别名: | FDV303N_NL |
单位重量: | 8 mg |
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