产品简介
技术参数品牌:安森美型号:FDC5612批号:2020封装:SOT-23-6数量:999999QQ:488273054描述:MOSFETN-CH60V4
详情介绍
技术参数
品牌: | 安森美 |
型号: | FDC5612 |
批号: | 2020 |
封装: | SOT-23-6 |
数量: | 999999 |
QQ: | 488273054 |
描述: | MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
原厂标准交货期: | 15 周 |
详细描述: | 表面贴装型-N-通道-60V-4.3A(Ta)-1.6W(Ta)-SuperSOT™-6 |
数据列表: | FDC5612; |
标准包装: | 3,000 |
包装: | 标准卷带 |
零件状态: | 有源 |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列: | PowerTrench® |
其它名称: | FDC5612TR |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.3A(Ta) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 55 毫欧 @ 4.3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 18nC @ 10V |
Vgs(值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 650pF @ 25V |
FET 功能: | - |
功率耗散(值): | 1.6W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SuperSOT™-6 |
封装/外壳: | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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