技术参数
| 品牌： | ST/意法 |
| 型号： | STB60NF06LT4 |
| 封装： | LQFP48 |
| 批次： | 20+ |
| 数量： | 2000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 14 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 15 V |
| 最小工作温度： | - 65 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 110 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 4.6 mm |
| 长度： | 10.4 mm |
| 系列： | STB60NF06LT4 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 9.35 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 20 S |
| 下降时间： | 30 ns |
| 上升时间： | 220 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 55 ns |
| 典型接通延迟时间： | 35 ns |
| 单位重量： | 4 g |
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