产品简介
技术参数品牌：INFINEON型号：IRF100B202封装：TO-220批次：21+数量：10000制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-220-3通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：100VId-连续漏极电流：97ARdsOn-漏源导通电阻：7
详情介绍
技术参数
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IRF100B202 |
| 封装： | TO-220 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 10000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
| Id-连续漏极电流： | 97 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 7.2 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 116 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 221 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 15.65 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.4 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 123 S |
| 下降时间： | 58 ns |
| 上升时间： | 56 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 55 ns |
| 典型接通延迟时间： | 11 ns |
| 零件号别名： | SP001561488 |
| 单位重量： | 1.800 g |
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