技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IRF640NPBF |
| 封装： | TO252 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 10000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 200 V |
| Id-连续漏极电流： | 18 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 150 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 44.7 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 150 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 15.65 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.4 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 6.8 S |
| 下降时间： | 5.5 ns |
| 上升时间： | 19 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 23 ns |
| 典型接通延迟时间： | 10 ns |
| 单位重量： | 2 g |
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