技术参数
品牌: | ST/意法 |
型号: | STGW30V60DF |
封装: | TO-247-3 |
批次: | 21+ |
数量: | 10000 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 |
制造商: | STMicroelectronics |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(值): | 600 V |
电流 - 集电极 (Ic)(值): | 60 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 120 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(值): | 2.3V @ 15V,30A |
功率 - 值: | 258 W |
开关能量: | 383µJ(开),233µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 163 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 45ns/189ns |
测试条件: | 400V,30A,10 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 53 ns |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
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