技术参数
| 品牌： | ST/意法 |
| 型号： | STGW30V60DF |
| 封装： | TO-247-3 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 10000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| IGBT 类型： | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（值）： | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（值）： | 60 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： | 120 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（值）： | 2.3V @ 15V，30A |
| 功率 - 值： | 258 W |
| 开关能量： | 383µJ（开），233µJ（关） |
| 输入类型： | 标准 |
| 栅极电荷： | 163 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值： | 45ns/189ns |
| 测试条件： | 400V，30A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr)： | 53 ns |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
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