产品简介
技术参数品牌:ST型号:STD2NC45-1封装:N/A批次:18+数量:1928制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-251-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:450VId-连续漏极电流:1
详情介绍
技术参数
品牌: | ST |
型号: | STD2NC45-1 |
封装: | N/A |
批次: | 18+ |
数量: | 1928 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-251-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 450 V |
Id-连续漏极电流: | 1.5 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 4.5 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
Qg-栅极电荷: | 7 nC |
最小工作温度: | - 65 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 30 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | SuperMESH |
配置: | Single |
高度: | 6.2 mm |
长度: | 6.6 mm |
系列: | STD2NC45-1 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 2.4 mm |
商标: | STMicroelectronics |
下降时间: | 12 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 4 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型接通延迟时间: | 6.7 ns |
单位重量: | 4 g |
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