产品简介
技术参数品牌：ON型号：NTF2955T1G封装：N/A批次：17+数量：24制造商：onsemi产品种类：MOSFET安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SOT-223-3晶体管极性：P-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：60VId-连续漏极电流：2
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | NTF2955T1G |
| 封装： | N/A |
| 批次： | 17+ |
| 数量： | 24 |
| 制造商： | onsemi |
| 产品种类： | MOSFET |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-223-3 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 2.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 185 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 14.3 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 2.3 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 38 ns |
| 正向跨导 - 最小值： | 1.77 S |
| 高度： | 1.57 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 上升时间： | 7.6 ns |
| 系列： | NTF2955 |
| 晶体管类型： | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间： | 11 ns |
| 典型接通延迟时间： | 3.5 mm |
| 宽度： | 250 mg |
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