技术参数
品牌: | INFINEON |
型号: | IRFR15N20DTRPBF |
封装: | N/A |
批次: | 19+ |
数量: | 1540 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 200 V |
Id-连续漏极电流: | 17 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 165 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 5.5 V |
Qg-栅极电荷: | 27 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 140 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
下降时间: | 8.9 ns |
正向跨导 - 最小值: | 4 S |
高度: | 2.3 mm |
长度: | 6.5 mm |
上升时间: | 32 ns |
晶体管类型: | 17 ns |
典型关闭延迟时间: | 9.7 ns |
典型接通延迟时间: | 6.22 mm |
宽度: | IRFR15N20DTRPBF SP001555046 |
零件号别名: | 330 mg |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。