产品简介
技术参数品牌:ST型号:STD3NK80ZT4封装:N/A批次:15+数量:50制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:800VId-连续漏极电流:2
详情介绍
技术参数
品牌: | ST |
型号: | STD3NK80ZT4 |
封装: | N/A |
批次: | 15+ |
数量: | 50 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 800 V |
Id-连续漏极电流: | 2.5 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 4.5 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
Qg-栅极电荷: | 19 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 70 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
下降时间: | 40 ns |
高度: | 2.4 mm |
长度: | 6.6 mm |
上升时间: | 27 ns |
系列: | STD3NK80ZT4 |
晶体管类型: | MOSFET |
典型关闭延迟时间: | 17 ns |
典型接通延迟时间: | 6.2 mm |
宽度: | 330 mg |
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