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SKYWORKS/思佳讯 SKY13594-666LF QFN 20+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SKY13594-666LF 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-20 浏览次数 3 本公司产品广泛有：二极管 三极管 DIP/SMDIC集成电路 ！！型号繁多 无法详列！个别产品如有需要也可专门订做对比
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RUR040N02TL ROHM(罗姆) SOT346 参考价 ￥面议
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品牌 型号 RUR040N02TL 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-19 浏览次数 21
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IRF7416TRPBF Infineon(英飞凌) SO-8 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRF7416TRPBF 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-19 浏览次数 11
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IRFP264PBF VISHAY(威世) TO-247AC-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRFP264PBF 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-19 浏览次数 35
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IRFP460PBF VISHAY(威世) TO-247-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRFP460PBF 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-19 浏览次数 12 技术参数品牌：VISHAY(威世)型号：IRFP460PBF批号：两年内封装：TO-247-3数量：3975QQ：制造商：VishaySiliconixFET类型：N通道技术：MOSFET（金属氧化物）25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）驱动电压（RdsOn对比
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IRFR024NTRPBF Infineon(英飞凌) TO-252-2(DPAK) MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRFR024NTRPBF 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-19 浏览次数 20
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SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY(威世) SOT-23 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SI2301CDS-T1-GE3 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-19 浏览次数 9 技术参数品牌：VISHAY(威世)型号：SI2301CDS-T1-GE3批号：两年内封装：SOT-23数量：1236000QQ：制造商：Vishay产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SOT-23-3通道数量：1Channel晶体管极性：P-ChannelVds-漏源极击穿电压：20VId-连续漏极电流：3对比
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STN4NF03L ST(意法半导体) SOT-223-4 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 STN4NF03L 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-19 浏览次数 13 技术参数品牌：ST(意法半导体)型号：STN4NF03L批号：两年内封装：SOT-223-4数量：64000QQ：制造商：STMicroelectronics产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SOT-223-4晶体管极性：N-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：30VId-连续漏极电流：6对比
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BSS308PEH6327XTSA1 Infineon(英飞凌) SOT-23-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 BSS308PEH6327XTSA1 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-19 浏览次数 20
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SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY(威世) PowerPAK-SO-8 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SIR826ADP-T1-GE3 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-19 浏览次数 12
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IRF520PBF VISHAY(威世) TO-220AB MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRF520PBF 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-19 浏览次数 17 技术参数品牌：VISHAY(威世)型号：IRF520PBF批号：两年内封装：TO-220AB数量：40100QQ：制造商：Vishay产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-220AB-3通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：100VId-连续漏极电流：9对比
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SI2374DS-T1-GE3 VISHAY(威世) SOT-23-3 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SI2374DS-T1-GE3 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-19 浏览次数 11 技术参数品牌：VISHAY(威世)型号：SI2374DS-T1-GE3批号：两年内封装：SOT-23-3数量：66000QQ：制造商：Vishay产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SOT-23-3晶体管极性：N-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：20VId-连续漏极电流：5对比
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2N7002BK,215 Nexperia(安世) SOT-23-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 2N7002BK 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-19 浏览次数 12 技术参数品牌：Nexperia(安世)型号：2N7002BK对比
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SIA923EDJ-T1-GE3 VISHAY(威世) PowerPAK-SC70-6 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SIA923EDJ-T1-GE3 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-19 浏览次数 10
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STF13NK50Z ST(意法半导体) TO-220FP MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 STF13NK50Z 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-19 浏览次数 13
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SIR426DP-T1-GE3 VISHAY(威世) POWERPAK SO-8 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SIR426DP-T1-GE3 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-19 浏览次数 7
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STB21N90K5 ST(意法半导体) TO-263-3 参考价 ￥面议
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品牌 型号 STB21N90K5 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 11 技术参数品牌：ST(意法半导体)型号：STB21N90K5批号：两年内封装：TO-263-3数量：1000QQ：制造商：STMicroelectronics产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：TO-263-3晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：900VId-连续漏极电流：18对比
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IRF3205PBF Infineon(英飞凌) TO-220-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRF3205PBF 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 11
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DMG2305UX-7 DIODES(美台) SOT-23-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 DMG2305UX-7 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 10
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CSD18534Q5A TI/德州仪器 (DQJ)-8 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CSD18534Q5A 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 14
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IRF630NPBF Infineon(英飞凌) TO-220-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRF630NPBF 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 14 技术参数品牌：Infineon(英飞凌)型号：IRF630NPBF批号：两年内封装：TO-220-3数量：9850QQ：制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-220-3晶体管极性：N-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：200VId-连续漏极电流：9对比
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STP75NF75 ST(意法半导体) TO-220(TO-220-3) MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 STP75NF75 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 9
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IRFP27N60KPBF VISHAY(威世) TO-247-3 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRFP27N60KPBF 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 11
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2SK3065T100 ROHM(罗姆) SOT-89-3 参考价 ￥面议
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品牌 型号 2SK3065T100 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 6
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SIR862DP-T1-GE3 VISHAY(威世) SO-8 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SIR862DP-T1-GE3 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 9 技术参数品牌：VISHAY(威世)型号：SIR862DP-T1-GE3批号：两年内封装：SO-8数量：45000QQ：制造商：Vishay产品种类：MOSFETRoHS：是系列：SIR单位重量：506对比
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IRFP064NPBF Infineon(英飞凌) TO-247-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRFP064NPBF 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 16
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IRF2807PBF Infineon(英飞凌) TO-220-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRF2807PBF 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 9 技术参数品牌：Infineon(英飞凌)型号：IRF2807PBF批号：两年内封装：TO-220-3数量：7400QQ：制造商：InfineonTechnologies系列：HEXFET®FET类型：N通道25°C时电流-连续漏极(Id)：82A（Tc）驱动电压（RdsOn对比
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SI4465ADY-T1-E3 VISHAY(威世) SOIC-8 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SI4465ADY-T1-E3 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 13 技术参数品牌：VISHAY(威世)型号：SI4465ADY-T1-E3批号：两年内封装：SOIC-8数量：4000QQ：制造商：Vishay产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SO-8商标名：TrenchFET封装：CutTape封装：MouseReel封装：Reel高度：1对比
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T835H-6G-TR ST(意法半导体) D2PAK 可控硅 参考价 ￥面议
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品牌 型号 T835H-6G-TR 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 12 技术参数品牌：ST(意法半导体)型号：T835H-6G-TR批号：两年内封装：D2PAK数量：35000QQ：制造商：STMicroelectronics产品种类：双向可控硅RoHS：是系列：T835H不重复通态电流：84A额定重复关闭状态电压VDRM：600V关闭状态漏泄电流（在VDRMIDRM下）：5uA开启状态电压：1对比
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STW12N120K5 ST(意法半导体) TO-247-3 参考价 ￥面议
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品牌 型号 STW12N120K5 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 10 技术参数品牌：ST(意法半导体)型号：STW12N120K5批号：两年内封装：TO-247-3数量：1860QQ：对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）类别：分立半导体产品产品族：晶体管-FET对比
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SUM110P04-05-E3 VISHAY(威世) TO-263-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SUM110P04-05-E3 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 8
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2SK3541T2L ROHM(罗姆) SOT-723 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 2SK3541T2L 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 9
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CSD87352Q5D TI/德州仪器 (DQY)-8 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CSD87352Q5D 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 8
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CSD18543Q3A TI/德州仪器 (DNH)-8 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CSD18543Q3A 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 9
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STP6NK60ZFP ST(意法半导体) TO-220F(TO-220IS) MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 STP6NK60ZFP 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 7
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STW26NM60N ST(意法半导体) TO-247-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 STW26NM60N 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 9
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2N7002DW-7-F DIODES(美台) SOT-363-6 MOS(场效应管) 参考价 ￥面议
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品牌 型号 2N7002DW-7-F 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 9
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DMN10H220L-7 DIODES(美台) SOT-23(SOT-23-3) MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 DMN10H220L-7 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 6
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SI7430DP-T1-GE3 VISHAY(威世) QFN8 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SI7430DP-T1-GE3 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 10
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IRFP4227PBF Infineon(英飞凌) TO-247-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRFP4227PBF 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 8
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SI2325DS-T1-E3 VISHAY(威世) SOT-23-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SI2325DS-T1-E3 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 9 技术参数品牌：VISHAY(威世)型号：SI2325DS-T1-E3批号：两年内封装：SOT-23-3数量：36000QQ：描述：MOSFETP-CH150V0对比
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VT6K1T2CR ROHM(罗姆) SOT463 参考价 ￥面议
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品牌 型号 VT6K1T2CR 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 8
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BSS84-7-F DIODES(美台) SOT-23(SOT-23-3) MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 BSS84-7-F 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 10
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IRFP460LCPBF VISHAY(威世) TO-247-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRFP460LCPBF 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 6 技术参数品牌：VISHAY(威世)型号：IRFP460LCPBF批号：两年内封装：TO-247-3数量：2000QQ：对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）类别：分立半导体产品产品族：晶体管-FET对比
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ZXMP10A13FTA DIODES(美台) SOT-23-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 ZXMP10A13FTA 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 5
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IRFR5410TRPBF Infineon(英飞凌) TO-252-3 MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRFR5410TRPBF 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 8
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IRFB7437PBF Infineon(英飞凌) TO-220(TO-220-3) MOS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRFB7437PBF 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 8
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DMP3130LQ-7 DIODES/美台 SOT-23 参考价 ￥面议
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品牌 型号 DMP3130LQ-7 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 8 技术参数品牌：DIODES/美台型号：DMP3130LQ-7批号：21+封装：SOT-23数量：15000QQ：制造商：DiodesIncorporated产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SOT-23-3晶体管极性：P-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：30VId-连续漏极电流：3对比
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SI7884BDP-T1-GE3 VISHAY(威世) PowerPAK-SO-8 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SI7884BDP-T1-GE3 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 7
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STF11NM80 ST(意法半导体) TO-220FP 参考价 ￥面议
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品牌 型号 STF11NM80 类型 低频/高频/微波功率晶体管 厂商性质 其他 更新时间 2023-06-18 浏览次数 11
