类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 53A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 16.5 毫欧 @ 28A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 72nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1696pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 3.8W（Ta），107W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB