产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:FGL60N100BNTDTU批次:21+数量:7500制造商:ONSemiconductor产品种类:IGBT晶体管RoHS:是封装/箱体:TO-264-3安装风格:ThroughHole配置:Single集电极—发射极电压VCEO:1000V集电极—射极饱和电压:1
详情介绍
技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | FGL60N100BNTDTU |
批次: | 21+ |
数量: | 7500 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | IGBT 晶体管 |
RoHS: | 是 |
封装 / 箱体: | TO-264-3 |
安装风格: | Through Hole |
配置: | Single |
集电极—发射极电压 VCEO: | 1000 V |
集电极—射极饱和电压: | 1.5 V |
栅极/发射极电压: | 25 V |
在25 C的连续集电极电流: | 60 A |
Pd-功率耗散: | 180 W |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
系列: | FGL60N100BNTD |
集电极连续电流 Ic: | 60 A |
高度: | 26 mm |
长度: | 20 mm |
宽度: | 5 mm |
集电极连续电流: | 60 A |
栅极—射极漏泄电流: | +/- 500 nA |
零件号别名: | FGL60N100BNTDTU_NL |
单位重量: | 6.756 g |
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