产品简介
技术参数品牌：ON/安森美型号：FQA28N50批次：21+数量：7500制造商：ONSemiconductor系列：QFET®FET类型：N通道25°C时电流-连续漏极(Id)：28.4A（Tc）驱动电压（RdsOn
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | FQA28N50 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 7500 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 系列： | QFET® |
| FET 类型： | N 通道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 28.4A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 160 毫欧 @ 14.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 5V @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±30V |
| 功率耗散（值）： | 310W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 漏源电压（Vdss）： | 500 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 140 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 5600 pF @ 25 V |
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