产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:MMBT5401批次:21+数量:7500类别:分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个制造商:onsemi晶体管类型:PNP电流-集电极(Ic)(值):600mA电压-集射极击穿(值):150V不同 Ib、Ic时 Vce饱和压降(值):500mV@5mA
详情介绍
技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | MMBT5401 |
批次: | 21+ |
数量: | 7500 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 |
制造商: | onsemi |
晶体管类型: | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(值): | 600 mA |
电压 - 集射极击穿(值): | 150 V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(值): | 500mV @ 5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(值): | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 60 @ 10mA,5V |
功率 - 值: | 350 mW |
频率 - 跃迁: | 300MHz |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
- 上一篇: GENESYS/创惟科技 GL3510 21+
- 下一篇: ST/意法半导体 电源管理芯片 STWBC 无
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。