技术参数
| 品牌： | DIODES |
| 型号： | DMN601TK-7 |
| 批号： | 19+ |
| 封装： | SOT-523-3 |
| 数量： | 39896 |
| QQ： | |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | MOSFET |
| 安装风格： | Si |
| 封装 / 箱体： | SMD/SMT |
| 晶体管极性： | SOT-523-3 |
| 通道数量： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 1 Channel |
| Id-连续漏极电流： | 60 V |
| Rds On-漏源导通电阻： | 300 mA |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 3 Ohms |
| 最小工作温度： | 20 V |
| 工作温度： | - 65 C |
| Pd-功率耗散： | + 150 C |
| 通道模式： | 150 mW |
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