产品简介
技术参数品牌：ST型号：STF4N62K3批号：13+封装：TO-220数量：40439QQ：制造商：STMicroelectronics产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-220-3晶体管极性：N-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：620VId-连续漏极电流：3
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | STF4N62K3 |
| 批号： | 13+ |
| 封装： | TO-220 |
| 数量： | 40439 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 620 V |
| Id-连续漏极电流： | 3.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 2 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 30 V |
| Qg-栅极电荷： | 22 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 25 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | STF4N62K3 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 下降时间： | 19 ns |
| 上升时间： | 9 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 29 ns |
| 典型接通延迟时间： | 10 ns |
| 单位重量： | 330 mg |
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