技术参数
品牌: | DIODES |
型号: | DMN3730UFB4-7 |
批号: | 19+ |
封装: | X2-DFN1006-3 |
数量: | 39585 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | X2-DFN1006-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 730 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 460 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 8 V |
Qg-栅极电荷: | 1.6 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 690 mW |
配置: | Single |
系列: | DMN37 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
正向跨导 - 最小值: | 40 mS |
单位重量: | 15 mg |
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