产品简介
技术参数品牌:VISHAY威世型号:SI7220DN-T1-E3封装:PowerPAK1212-8批次:20+数量:10000制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:PowerPAK-1212-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:4
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY威世 |
型号: | SI7220DN-T1-E3 |
封装: | PowerPAK 1212-8 |
批次: | 20+ |
数量: | 10000 |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerPAK-1212-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 2 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 4.8 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 60 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 20 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 2.6 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Dual |
系列: | SI7 |
晶体管类型: | 2 N-Channel |
正向跨导 - 最小值: | 15 S |
下降时间: | 10 ns |
上升时间: | 10 ns |
典型关闭延迟时间: | 20 ns |
典型接通延迟时间: | 10 ns |
零件号别名: | SI7220DN-E3 |
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