技术参数
品牌: | ON安森美 |
型号: | FGAF40N60SMD |
封装: | TO-3PF |
批次: | 20+ |
数量: | 6000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | IGBT 晶体管 |
RoHS: | 是 |
封装 / 箱体: | TO-3PF |
安装风格: | Through Hole |
集电极—发射极电压 VCEO: | 600 V |
集电极—射极饱和电压: | 2.1 V |
栅极/发射极电压: | 20 V |
在25 C的连续集电极电流: | 80 A |
Pd-功率耗散: | 79 W |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
系列: | FGAF40N60SMD |
栅极—射极漏泄电流: | 400 nA |
单位重量: | 7 g |
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