产品简介
技术参数品牌:DIODES/美台型号:DMN3018SSS-13批号:19+封装:SO-8数量:5000QQ:制造商:DiodesIncorporated产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOIC-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:7
详情介绍
技术参数
品牌: | DIODES/美台 |
型号: | DMN3018SSS-13 |
批号: | 19+ |
封装: | SO-8 |
数量: | 5000 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOIC-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 7.3 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 21 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 13.2 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.7 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
系列: | DMN3018 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
下降时间: | 4.1 ns |
上升时间: | 4.4 ns |
典型关闭延迟时间: | 20.1 ns |
典型接通延迟时间: | 4.3 ns |
单位重量: | 74 mg |
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