技术参数
品牌: | NXP |
型号: | A3G26H501W17SR3 |
批号: | 20+ |
封装: | N/A |
数量: | 29850 |
QQ: | |
制造商: | NXP |
产品种类: | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
RoHS: | 是 |
增益: | 13.7 dB |
Vds-漏源极击穿电压: | 150 V |
Id-连续漏极电流: | 42 mA |
输出功率: | 56 W |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 225 C |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | NI-780S-4S2S |
应用: | Cellular Base Station |
工作频率: | 2496 MHz to 2690 MHz |
类: | Class AB, Class C |
Vgs th-栅源极阈值电压: | - 3.5 V, - 3.8 V |
零件号别名: |
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