技术参数
品牌: | IR |
型号: | IRFR9024NTRPBF |
批号: | 20+ |
封装: | TO-252 |
数量: | 25000 |
QQ: | 884827 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 55 V |
Id-连续漏极电流: | 11 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 175 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
Qg-栅极电荷: | 19 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 38 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | StrongIRFET |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
配置: | Single |
高度: | 2.3 mm |
长度: | 6.5 mm |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 6.22 mm |
商标: | Infineon / IR |
产品类型: | MOSFET |
工厂包装数量: | 2000 |
子类别: | MOSFETs |
单位重量: | 330 mg |
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