技术参数
品牌: | TI |
型号: | UCC27712DR |
封装: | 17+ |
批次: | SOIC-8 |
数量: | 45 |
类别: | 集成电路(IC) PMIC - 栅极驱动器 |
制造商: | Texas Instruments |
驱动配置: | 半桥 |
通道类型: | 独立式 |
驱动器数: | 2 |
栅极类型: | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET |
电压 - 供电: | 10V ~ 20V |
逻辑电压 - VIL,VIH: | 1.5V,1.6V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): | 1.8A,2.8A |
高压侧电压 - 值(自举): | 600 V |
上升/下降时间(典型值): | 16ns,10ns |
工作温度: | -40°C ~ 125°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
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