技术参数
品牌: | ON |
型号: | NSS40300DDR2G |
封装: | 8-SOIC |
批次: | 21+ |
数量: | 2574 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOIC-Narrow-8 |
晶体管极性: | PNP |
配置: | Dual |
集电极—发射极电压 VCEO: | - 40 V |
集电极—基极电压 VCBO: | - 40 V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | - 7 V |
集电极—射极饱和电压: | 0.135 V |
直流电集电极电流: | - 6 A |
Pd-功率耗散: | 783 mW |
增益带宽产品fT: | 100 MHz |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
系列: | NSS40300DD |
直流电流增益 hFE 值: | 250 at 10 mA, 2 V |
高度: | 1.5 mm |
长度: | 5 mm |
技术: | Si |
宽度: | 4 mm |
商标: | ON Semiconductor |
集电极连续电流: | - 3 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 250 |
产品类型: | BJTs - Bipolar Transistors |
工厂包装数量: | 2500 |
子类别: | Transistors |
单位重量: | 143 mg |
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