产品简介
技术参数品牌:VISHAY/威世型号:SI4816BDY-T1-GE3批号:2105+封装:SOP8数量:21600QQ:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SO-8通道数量:2Channel晶体管极性:N-ChannelId-连续漏极电流:6
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY/威世 |
型号: | SI4816BDY-T1-GE3 |
批号: | 2105+ |
封装: | SOP8 |
数量: | 21600 |
QQ: | |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SO-8 |
通道数量: | 2 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Id-连续漏极电流: | 6.8 A, 11.4 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 11.5 mOhms, 18.5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 7.8 nC, 11.6 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.4 W, 2.4 W |
配置: | Dual |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | TrenchFET |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
高度: | 1.75 mm |
长度: | 4.9 mm |
系列: | SI4 |
晶体管类型: | 2 N-Channel |
宽度: | 3.9 mm |
商标: | Vishay Semiconductors |
正向跨导 - 最小值: | 30 S, 31 S |
下降时间: | 9 ns, 11 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 9 ns, 9 ns |
工厂包装数量: | 2500 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 24 ns, 31 ns |
典型接通延迟时间: | 11 ns, 13 ns |
零件号别名: | SI4816DY-T1-E3-S |
单位重量: | 187 mg |
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