产品简介
技术参数品牌:VISHAY/威世型号:SI7149DP-T1-GE3封装:POWERPAKSO-8批号:20+数量:3000制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:50ARdsOn-漏源导通电阻:5
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY/威世 |
型号: | SI7149DP-T1-GE3 |
封装: | POWERPAKSO-8 |
批号: | 20+ |
数量: | 3000 |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerPAK-SO-8 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 50 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 5.2 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V |
Qg-栅极电荷: | 98 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 69 W |
通道模式: | Enhancement |
系列: | SI7 |
配置: | Single |
下降时间: | 16 ns |
正向跨导 - 最小值: | 47 S |
高度: | 1.04 mm |
长度: | 6.15 mm |
上升时间: | 14 ns |
晶体管类型: | 58 ns |
典型关闭延迟时间: | 15 ns |
典型接通延迟时间: | 5.15 mm |
宽度: | SI7149DP-GE3 |
零件号别名: | 506.600 mg |
- 上一篇: AP3211KTR-G1 其它开关稳压器 DIODES/
- 下一篇: BPW24R 光电传感器 VISHAY/威世 封装TO
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。