技术参数
| 品牌： | 安森美 |
| 型号： | RFD16N05SM9A |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 2500 |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 原厂标准交货期： | 8 周 |
| 详细描述： | 表面贴装型-N-通道-50V-16A（Tc）-72W（Tc）-TO-252AA |
| 数据列表： | RFD16N05SM; |
| 标准包装： | 1 |
| 包装： | 剪切带（CT） |
| 零件状态： | 有源 |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 系列： | - |
| 其它名称： | RFD16N05SM9ACT |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）： | 50V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 16A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 47 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 80nC @ 20V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 900pF @ 25V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 72W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | TO-252AA |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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