产品简介
技术参数品牌:安森美型号:NTMYS3D5N04CTWG批次:21+数量:9000制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:LFPAK-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:40VId-连续漏极电流:102ARdsOn-漏源导通电阻:3
详情介绍
技术参数
品牌: | 安森美 |
型号: | NTMYS3D5N04CTWG |
批次: | 21+ |
数量: | 9000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | LFPAK-4 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 102 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 3.3 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V |
Qg-栅极电荷: | 23 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 68 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | ON Semiconductor |
正向跨导 - 最小值: | 93 S |
下降时间: | 3 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 47 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 19 ns |
典型接通延迟时间: | 10 ns |
- 上一篇: PZT2222AT1G 三极管 安森美 批次21+
- 下一篇: NTMFS4C027NT1G 电子元器件 安森美 批
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。