产品简介
技术参数品牌:ON型号:FDB3672-F085批号:1830+封装:TO-263数量:80QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-263-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100VId-连续漏极电流:7
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | FDB3672-F085 |
批号: | 1830+ |
封装: | TO-263 |
数量: | 80 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-263-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 7.2 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 28 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 120 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
高度: | 4.83 mm |
长度: | 10.67 mm |
系列: | FDB3672_F085 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 9.65 mm |
下降时间: | 44 ns |
上升时间: | 59 ns |
典型关闭延迟时间: | 26 ns |
典型接通延迟时间: | 11 ns |
零件号别名: | FDB3672_F085 |
单位重量: | 1.312 g |
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