技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STL22N65M5 |
封装: | PowerFLAT-8x8-HV-5 |
批号: | 21+ |
数量: | 1360 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerFLAT-8x8-HV-5 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
Id-连续漏极电流: | 15 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 210 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
Qg-栅极电荷: | 36 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 110 W |
配置: | Single |
商标名: | MDmesh |
系列: | STL22N65M5 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | STMicroelectronics |
下降时间: | 7.5 ns |
湿度敏感性: | Yes |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 7.5 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。