产品简介
技术参数品牌:ST/意法半导体型号:STF11N60M2-EP封装:TO-220FP-3批号:21+数量:2260制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-220FP-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600VId-连续漏极电流:7
详情介绍
技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STF11N60M2-EP |
封装: | TO-220FP-3 |
批号: | 21+ |
数量: | 2260 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220FP-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
Id-连续漏极电流: | 7.5 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 550 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 25 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 12.4 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 25 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | MDmesh |
系列: | STF11N60M2-EP |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | STMicroelectronics |
下降时间: | 8 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 5.5 ns |
工厂包装数量: | 1000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 26 ns |
典型接通延迟时间: | 9 ns |
单位重量: | 2 g |
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