产品简介
技术参数品牌：ST/意法半导体型号：STP9NK70ZFP封装：TO-220FP-3批号：21+数量：8104制造商：STMicroelectronics产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-220-3晶体管极性：N-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：700VId-连续漏极电流：7
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STP9NK70ZFP |
| 封装： | TO-220FP-3 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 8104 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 700 V |
| Id-连续漏极电流： | 7.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1.2 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3.75 V |
| Qg-栅极电荷： | 48 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 35 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | STP9NK70ZFP |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 13 ns |
| 正向跨导 - 最小值： | 5.3 S |
| 高度： | 9.3 mm |
| 长度： | 10.4 mm |
| 上升时间： | 17 ns |
| 晶体管类型： | 45 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 22 ns |
| 典型接通延迟时间： | 4.6 mm |
| 宽度： | 2 g |
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