产品简介
技术参数品牌：DIODES/美台型号：DMG6601LVT-7批号：2021+封装：TSOT26数量：460QQ：制造商：DiodesIncorporated产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/SMT封装/箱体：TSOT-26-6晶体管极性：N-Channel
详情介绍
技术参数
| 品牌： | DIODES/美台 |
| 型号： | DMG6601LVT-7 |
| 批号： | 2021+ |
| 封装： | TSOT26 |
| 数量： | 460 |
| QQ： | |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TSOT-26-6 |
| 晶体管极性： | N-Channel, P-Channel |
| 通道数量： | 2 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 3.8 A, 2.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 55 mOhms, 110 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 12 V, + 12 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 500 mV, 400 mV |
| Qg-栅极电荷： | 12.3 nC, 13.8 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.3 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封装： | Cut Tape |
| 封装： | MouseReel |
| 封装： | Reel |
| 配置： | Dual |
| 系列： | DMG6601 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 商标： | Diodes Incorporated |
| 下降时间： | 15.6 ns, 2.2 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 7.4 ns, 4.6 ns |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 31.2 ns, 18.3 ns |
| 典型接通延迟时间： | 1.6 ns, 1.7 ns |
| 单位重量： | 15 mg |
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