1937 DISCO 建立于广岛Kure; 开始著手生产和销售玻化结合剂砂轮。
1956 DISCO 发展出日本的支超薄（0.13-0.14mm）树脂结合剂的刀片。
1976 台自动划片/切割机DAD-2H问世。
2004 在半导体的全自动/半自动切割，研磨; 刀片和研磨轮; 薄晶圆切割研磨和抛光技
术有举足轻重的地位。

半自动切割机 Automatic Dicing Saw
DAD321 使用高功率的主轴并搭配2寸的钻石刀片，将晶圆用手放置在工作盘上进行手动切割校准。大可切割6"的晶圆。适用 于各种不同材料的切割应用。是业界占地面积小的机种。
DAD3350 （大工作物尺寸 250mm 正方）为处理广泛的材料而设计， 有标准的1800W及选用的2200W高扭力主轴两种。采用GUI（使用者图形介面）触控式操作面板及全自动切割对位校准，自动对焦和自动刀痕检查等技术。桥接式的框架结构除了使得机器的体积缩小外亦也提升了机器的性能。桥接悬吊的前向式主轴提供较大的空间以处理大型的基板。
全自动切割机 Fully Automatic Dicing Saw 
DFD641 使用高功率，低震动的单主轴来切割大晶圆直径8寸的胶 膜切割。全自动进料和自动传送晶圆，自动对位校准，自动清洗 和自动卸料等处理程序，不需要操作者的协助。全新设计的 二流体清洗喷嘴，大幅的降低并解决了以来从未改善过的污染问题。
DFD651 使用高功率，低震动的双主轴来切割大晶圆直径8寸的胶膜 切割。全自动进料和自动传送晶圆，自动对位校准，自动清洗和自 动卸料等处理程序，不需要操作者的协助。全新设计的二流体 清洗喷嘴，大幅的降低并解决了以来从未改善过的污染问题。 特别适用于因为切割道上的金属氧化层所造成的切割问题。它容许 我们利用STEPCUT（阶段切割）的方式来解决正背崩的问题。
DFD6240, 200mm 的单主轴切割机，小巧的桥接式框架结构 及改良的晶片传送系统得以贡献出极小的占地面积（比 DFD641小20%）。采用LCD触控萤幕GUI（使用者图形介面） 操作面板使得操作和维护更为直觉和容易。全新设计的 二流体清洗喷嘴，大幅的降低并解决了以来从未改 善过的污染问题。
DFD6340 采用面对面式双主轴结构，及相对刀片间较短的间 距。其与平行式双主轴比较，产能增加30%以上。桥接式的 框架结构是目前8寸同等级机器中体积小的机型。采用LCD 触控萤幕GUI（使用者图形介面）操作面板使得操作和维护 更为直觉和容易。全新设计的二流体清洗喷嘴，大幅的降 低并解决了以来从未改善过的污染问题。特别适用于 因为切割道上的金属氧化层所造成的切割问题。它容许我 们利用STEP CUT（阶段切割）的方式来解决正背崩的问题。
DFD6361自DFD6360结合了许多的优点和改善。为了强化切割产能， 在Z1和Z2上同时安装高倍显微镜（标准）和非接触测高敏感器（ 选用）以降低非切割程序间的时间浪费，如刀痕检查和刀片测高 。采用面对面式双主轴结构及桥接式的框架结构，使得体积缩小 。拥有LCD触控GUI（使用者图形介面）操作面板及刀片保护盖的自 动开与闭使得换刀过程更加容易和快速。全新设计的二流体清洗 喷嘴，大幅的降低并解决了以来从未改善过的污染问题。特 别适用于因为切割道上的金属氧化层所造成的切割问题。它容许 我们利用STEP CUT（阶段切割）的方式来解决正背崩的问题。
全自动研磨机及抛光机 Fully Automatic In-Feed Surface Grinder
DFG 8540 / DFG 8540 可以处理大300mm直径的晶圆和薄至100um以下的厚度。采用一个 大旋转盘载三个工作盘的系统来处理薄晶片研磨和提生产能。加强 清洁功能：将晶圆的清洗刷，工作盘清洁刷和油石清洁系统设计为 标准配备。处理薄晶片的研磨，进料的传送吸盘设计成大尺寸的陶 瓷盘面；研磨毕尚在工作盘上准备卸载的晶圆采用另一独立吸盘卸料，除了也采用大尺寸的陶瓷吸盘外，另加上喷水以保护晶片不被矽粉微粒污染所破坏。采用触摸式的LCD萤幕，改善操作能力。STEPCUT（阶段切割）的方式来解决正背崩的问题。
DFP 8140 / DFP 8160 不需要使用研磨液，化学药剂或水就可以解除晶片的内应力。 DFP8140/8160 利用乾式抛光的技术来消除研磨过程所产生的破裂层。 此技术除了降低晶片的破损和翘曲的同时，更提升了晶粒的强度。 DFP8140/8160 可以与DISCO的研磨机DFG8540/8560结合成连线的超薄晶 圆解决方案，研磨，乾式抛光，传送晶圆安全稳定。这个连线系统 同时可以切换成单机使用。