产品简介
技术参数品牌:TI型号:CSD19531Q5AT封装:VSON8批号:21+数量:223制造商:TexasInstruments产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:VSONP-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:100VId-连续漏极电流:100ARdsOn-漏源导通电阻:6
详情介绍
技术参数
品牌: | TI |
型号: | CSD19531Q5AT |
封装: | VSON8 |
批号: | 21+ |
数量: | 223 |
制造商: | Texas Instruments |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | VSONP-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 100 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 6.4 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.7 V |
Qg-栅极电荷: | 37 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 3.3 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 1 mm |
长度: | 6 mm |
系列: | CSD19531Q5A |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 4.9 mm |
正向跨导 - 最小值: | 82 S |
下降时间: | 5.2 ns |
上升时间: | 5.8 ns |
典型关闭延迟时间: | 18.4 ns |
典型接通延迟时间: | 6 ns |
单位重量: | 87.800 mg |
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