技术参数
品牌: | ROHM |
型号: | RTM002P02T2L |
数量: | 2110 |
制造商: | ROHM Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-723-3 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 200 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 2 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 12 V |
Pd-功率耗散: | 150 mW |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 0.5 mm |
长度: | 1.2 mm |
系列: | RTM002P02 |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 0.8 mm |
下降时间: | 6 ns |
上升时间: | 6 ns |
典型关闭延迟时间: | 35 ns |
典型接通延迟时间: | 9 ns |
零件号别名: | RTM002P02 |
单位重量: | 1 mg |
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