技术参数
品牌: | ROHM |
型号: | UM6K1NTN |
数量: | 2287 |
制造商: | ROHM Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-363-6 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 2 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 100 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 8 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 800 mV |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 150 mW |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Dual |
高度: | 0.9 mm |
长度: | 2 mm |
产品: | MOSFET Small Signal |
系列: | UM6K1N |
晶体管类型: | 2 N-Channel MOSFET |
类型: | MOSFET |
宽度: | 1.25 mm |
商标: | ROHM Semiconductor |
下降时间: | 80 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 35 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 80 ns |
典型接通延迟时间: | 15 ns |
零件号别名: | UM6K1N |
单位重量: | 7.500 mg |
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