技术参数
品牌: | Infineon |
型号: | BSO150N03MDGXUMA1 |
批号: | new |
封装: | BSO150N03MDGXUMA1 |
数量: | 27044 |
QQ: | |
制造商: | Infineon Technologies |
系列: | OptiMOS™ |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 15 毫欧 @ 9.3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 17nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 1300pF @ 15V |
功率 - 值: | 1.4W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) |
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