技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STN1HNK60 |
封装: | SOT-223-3 |
批次: | 22+ |
数量: | 6870 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-223-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
Id-连续漏极电流: | 400 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 8.5 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.25 V |
Qg-栅极电荷: | 7 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 3.3 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 1.8 mm |
长度: | 6.5 mm |
系列: | STN1HNK60 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 3.5 mm |
下降时间: | 25 ns |
上升时间: | 5 ns |
典型关闭延迟时间: | 19 ns |
典型接通延迟时间: | 6.5 ns |
单位重量: | 250 mg |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。