技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | MJD122-1 |
| 封装： | TO-252-2 |
| 批次： | 22+ |
| 数量： | 6870 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | 达林顿晶体管 |
| 配置： | Single |
| 晶体管极性： | NPN |
| 集电极—发射极电压 VCEO： | 100 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO： | 5 V |
| 集电极—基极电压 VCBO： | 100 V |
| 直流电集电极电流： | 5 A |
| 集电极截止电流： | 10 uA |
| Pd-功率耗散： | 20 W |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-252-2 |
| 工作温度： | + 150 C |
| 系列： | MJD122 |
| 直流电流增益 hFE 值： | 12000 |
| 高度： | 7.2 mm |
| 长度： | 6.6 mm |
| 宽度： | 2.4 mm |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 100 |
| 单位重量： | 340 mg |
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