产品简介
技术参数品牌:ST/意法半导体型号:STD100N3LF3封装:TO-252-3批次:22+数量:6870制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-252-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:80ARdsOn-漏源导通电阻:5
详情介绍
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技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STD100N3LF3 |
封装: | TO-252-3 |
批次: | 22+ |
数量: | 6870 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 80 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 5.5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 110 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
高度: | 2.4 mm |
长度: | 6.6 mm |
系列: | STD100N3LF3 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 6.2 mm |
下降时间: | 35 ns |
上升时间: | 205 ns |
典型关闭延迟时间: | 31 ns |
典型接通延迟时间: | 9 ns |
单位重量: | 4 g |
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