产品简介
技术参数品牌:ST/意法半导体型号:STF3N80K5封装:TO-220-3批次:22+数量:6870制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-220-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:800VId-连续漏极电流:2
详情介绍
技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STF3N80K5 |
封装: | TO-220-3 |
批次: | 22+ |
数量: | 6870 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 800 V |
Id-连续漏极电流: | 2.5 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 2.8 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
Qg-栅极电荷: | 9.5 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 20 W |
配置: | Single |
商标名: | MDmesh |
系列: | STF3N80K5 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | STMicroelectronics |
下降时间: | 25 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 7.5 ns |
工厂包装数量: | 1000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 20.5 ns |
典型接通延迟时间: | 8.5 ns |
单位重量: | 330 mg |
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