技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STF18NM60N |
封装: | TO-220-3 |
批次: | 22+ |
数量: | 6870 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
Id-连续漏极电流: | 13 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 260 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 25 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
Qg-栅极电荷: | 35 nC |
Pd-功率耗散: | 30 W |
配置: | Single |
系列: | STF18NM60N |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
下降时间: | 40 ns |
上升时间: | 22 ns |
典型关闭延迟时间: | 50 ns |
典型接通延迟时间: | 20 ns |
单位重量: | 330 mg |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。