技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STLD200N4F6AG |
封装: | PowerFLAT-5x6-8 |
批次: | 22+ |
数量: | 6870 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerFLAT-5x6-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 120 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 1.27 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 172 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 158 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
系列: | STLD200N4F6AG |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
下降时间: | 410 ns |
上升时间: | 440 ns |
典型关闭延迟时间: | 600 ns |
典型接通延迟时间: | 150 ns |
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